Subprograma IX.I.

RED IBEROAMERICANA DE TECNOLOGÍAS PARA EL DESARROLLO DE SENSORES Y MICROSISTEMAS (TESEO)

ARGENTINA

• Instituto Nacional de Tecnología Industrial - INTI, Centro de Investigación en Telecomunicaciones, Electrónica e Informática - CITEI, Departamento Sensores. Liliana Beatriz Fraigi

• Instituto Nacional de Tecnología Industrial (INTI), Centro de Investigación y Desarrollo en Electrodeposición y Procesos Superficiales (CIEPS), Departamento de Materiales. Carlos Alberto Moina

• Universidad de Buenos Aires, Facultad de Ingeniería, Laboratorio de Películas Delgadas, Departamento de Química. Ricardo Aragón

• CITEFA, PRINSO (Programa de Investigación de Sólidos) - CONICET. Noemí Elisabeth Walsöe de Reca

BRASIL 

• Governo do Estado de Sao Paulo, Instituto de Pesquisas Tecnologicas do Estado de Sao Paulo, Grupo de Tecnologia Electrónica Hibrida. Mario Góngora Rubio

• Universidade Federal do Paraná, Setor de Ciências Exatas, Departamento Física. Cyro Ketzer Saul

• Instituto Nacional de Tecnologia da Informaçao. Alaide Pellegrini Mammana

• Universidade de São Paulo, Escola Politécnica-Faculdade de Engenharia Electrica, Departamento de Sistemas Eletrônicos (PSI), Laboratório de Sistemas Integráveis. Marcelo Bariatto Andrade Fontes
• Universidade Federal do Rio Grande do Sul-UFRGS, Informática Aplicada-Instituto de Informática, Renato  Perez Ribas

CHILE

• Universidad de Chile, Facultad de Ciencias Físicas y Matemáticas, Departamento Ingeniería Eléctrica. Nicolas Beltrán Maturana

CUBA

• Instituto Superior Politécnico "José A. Echevarria" , Facultad de Ingeniería Eléctrica, Centro de Investigaciones en Microelectrónica. Alberto Lastres Capote

• Universidad de La Habana, Instituto de Materiales y Reactivos, Laboratorio de Materiales Orgánicos, Grupo de Sensores Microelectrónicos. Olimpia L. Arias de Fuentes

ESPAÑA 

• Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC), Instituto de Física Aplicada, Laboratorio de Sensores. Francisco Javier Gutiérrez Monreal

• Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC), Instituto de Microelectrónica de Barcelona (IMB-CNM), Departamento Tecnología de Silicio y Microsistemas. Carlos Domínguez Horna

• Universidad Autónoma de Barcelona, Facultat de Ciències, Departamento de Química Analítica, Grup de Sensors i Biosensors. Julian Alonso Chamarro

• Universidad de Barcelona, Facultad de Física, Grup d'Enginyeria i Materials Electrònics. Joan Ramón Morante Lleonart

MÉXICO

• Instituto Nacional de Astrofísica Óptica y Electrónica - INAOE, Departamento Electrónica. Mariano Aceves Mijares

PERÚ

• Pontificia Universidad Católica del Perú, Facultad de Ciencias e Ingeniería, Departamento de Ingeniería Sección Electrónica. Carlos Silva Cárdenas

PORTUGAL

• Instituto Superior de Engenharia de Lisboa, GIAMOS - Grupo de Investigação e de Aplicações em Microelectrónica, Optoelectrónica e Sensores, Departamento de Engenharia de Electrónica e Telecomunicações e de Computadores. Maria Manuela de Almeida Carvalho Vieira

• Centro de Investigaçao de Materiais, Faculdade de Ciências e Tecnología da Universidade Nova de Lisboa, Departamento de  Ciência dos Materiais. Elvira Maria Correia Fortunato

URUGUAY

• Universidad de la República, Instituto de Física - Facultad de Ciencias, Departamento Física de los Materiales. Carlos Alther Negreira Casares

Código UNESCO: 220307;221125;330790;331107;331208  | Código CYTED: 372 Componentes electrónicos pasivos 

Fecha de Inicio: 31/8/2001 | Fecha de Finalización: 1/9/2004